10月9至11日，中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室在中国科学技术大学召开2010“核探测技术与核电子学发展研讨会”，高能物理所和中国科学技术大学近代物理系30多位专家、学者与会。
中国科学技术大学副校长朱长飞在致辞中代表学校对高能所专家学者的到来表示欢迎，对院重点实验室近年来取得的成绩予以充分肯定，并希望重点实验室继续保持快速、高水平发展势头，我国核探测技术与核电子学学科发展。重点实验室主任、北京高能物理研究所常务副所长王贻芳研究员回顾总结了实验室一年来的工作，通报了申报国家重点实验室的进展情况，就人才培养等方面提出迫切需要解决的一些问题。高能所吕军光、王铮研究员，中国科学技术大学汪晓莲、金革教授及宋克柱、刘树彬副教授分别汇报了各自领域的研究进展和学科发展的思考。
会议期间，与会专家针对申报国家重点实验室、今后的科研规划、实验室合作等进行了深入热烈的讨论。确定围绕大亚湾中微子实验、散裂中子源、BES3升级等大科学工程，以及石油物探等技术转移应用，研发ASIC新型微电子芯片、MPGD新型气体探测器技术、硅像素探测器等高新技术，推动核探测技术与核电子学学科的快速、持续发展，进一步加大在国民经济和其他学科中的应用。
